浙江大学12寸流片晶圆更正公告

一、项目基本情况

原公告的采购项目编号：ZJ-2663030-12G　　　　　　

原公告的采购项目名称：12寸流片晶圆　　　　　　

首次公告日期：2026年10月16日　　　　　　

二、更正信息

更正事项：采购文件

更正内容：

序号

变更项

变更前

变更后

1

第四章  用户需求四、货物清单4.2技术参数

4.2 完成具有Si0.8Ge0.2埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件Idsat优于12吋55 nm CMOS Baseline，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。

4.2 完成具有Si0.8Ge0.2埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件Idsat优于12吋55 nm CMOS Baseline（标准：Vg-Vth=0.6 V时pFET的Idsat达到200 µA/µm)，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。

2

5.2 完成具有Si0.65Ge0.35埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件Idsat与12吋55 nm CMOS Baseline相比提升40%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。

5.2 完成具有Si0.65Ge0.35埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件Idsat与12吋55 nm CMOS Baseline(标准：Vg-Vth=0.6 V时pFET的Idsat达到200 µA/µm)相比提升40%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。

3

6.2 完成具有Si0.5Ge0.5埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件Idsat与12吋 55 nm CMOS Baseline相比提升75%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。

6.2 完成具有Si0.5Ge0.5埋入式源漏的CMOS器件的典型电学性能评估，pFET器件Idsat与12吋 55 nm CMOS Baseline(标准：Vg-Vth=0.6 V时pFET的Idsat达到200 µA/µm)相比提升75%以上，交付12吋晶圆2片，并提供技术报告。

4

第四章  用户需求五、其他要求交付要求

1.交付样片：提供符合上述技术指标的12英寸晶圆，结构片共计150片，CMOS器件流片晶圆共计6片。

2.测试报告：提供6片CMOS器件流片晶圆对应的测试结果及测试报告（含材料表征与器件性能测试）。

3.技术文档：提交《硅锗埋入式源漏制造技术文档》、《硅锗埋入式源漏制造工艺集成与封装规范》等技术文档。

4.提供流片过程中的关键工艺参数（FDC）监控记录。

1.交付样片：提供符合上述技术指标的12英寸晶圆，结构片共计150片，CMOS器件流片晶圆共计6片。

2.技术报告：提供6片CMOS器件流片晶圆对应的技术报告。

更正日期：2026年10月23日　

三、其他补充事宜

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四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。

1.采购人信息

名 称：浙江大学　　　　　

地址：杭州市西湖区余杭塘路866号　　　　　　　　

联系方式：李骏康 联系电话：15068835521 采购部门邮箱：cgzx1@zju.edu.cn　　　　　　

2.采购代理机构信息

名 称：浙江国际招投标有限公司　　　　　　　　　　　　

地　址：浙江省杭州市西湖区文三路90号1号楼3楼　　　　　　　　　　　　

联系方式：谢凯枫、谭策、周峰 联系电话：0571-89731841、0571-81061837、0571-89731840 质疑联系人：王麟； 电话：0571-81061839　　　　　　　　　　　　

3.项目联系方式

项目联系人：谢凯枫

电　话：　　0571-89731841